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2026-08-05更新时间:2026-08-13
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在日益微型化和复杂的器件光刻工艺中,由于多重曝光导致的掩膜数量增加和图案形状的进步,测量点数量大幅增加。
此外,多束掩膜写入技术的引入和高性能计算技术的进步使得设计曲线图案成为可能,考虑曲率的新测量方法也在不断进步。 与此同时,准确识别面罩图案与设计数据之间的细微差别也日益重要。
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